第8节 芯片准备

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对于刚刚建立的大深市芯片产业公司，在台极电眼里几乎是不能再的芯片设计公司，在芯片制造产能上，绝对延后再延后，

甚至是芯片正在生产过程中，一旦芯片设计巨头下了生产订单，就马上下线，优先供应制造芯片设计巨头公司。

…

李飞这样确定，是因为os工艺已经非常成熟了，

在工艺已经出现，只不过早期的os器件性能也较差，但由于os器件的功耗极低，集成度也高，用以制造数字集成电路可很好地解决最迫切的功耗问题，

于是，在数字集成电路的制造中首先得到广泛应用，并得到快速发展，特别是自年代以来，更成为等vls的主导制造工艺，在电脑芯片工艺应用上十分广泛。

由于os工艺具有电流，抗干扰能力强，集成度高等一系列的优点，

各大芯片设计巨头公司开始在模拟芯片电路进行os工艺研究设计…，

而李飞利用重生前的芯片技术积累，用os工艺制造f芯片，可以在f芯片市场上是非常先进的芯片工艺技术了！

那么，如果f芯片使用双极ttl晶体管工艺，在市场上没有优势了！最重要的是f芯片后续应用于汽车和手机，可能就没有技术优势了，因为汽车和手机的电磁干扰非常大，

于是，李飞亲自打电话给台极电专业负责客服工程电话，客气地道“你好，我是大深市芯片产业的工程师李飞，关于贵司的邮件告知我司的芯片流片还需要延迟，到底是什么原因？”

对方态度不友善地道“哦，你f芯片工艺要求是s，可是目前f芯片主流可是双极ttl，”

李飞压住心中怒气，平和道“现在芯片工艺主流是s…，”

没等李飞把话完，对方打断了，并轻蔑地“你们内地人不懂，芯片是高科技产品，和你不清，简单地，你的f芯片采用os工艺，是比较复杂，在芯片制造上工序比较多，所以，芯片流片时间需要延缓…”

李飞乐呵一笑，在本人面前谈论芯片制造工艺，你还嫩了一点，重生前，本人在英特尔是副总裁，负责英特尔的芯片设计和芯片制造，

同时，李飞从内心上，认为不必和这人一般见识，不必再继续下去…，

但为了f芯片早点量产，早点让f芯片进入市场变现，李飞不得不展示芯片研发实力，给一点颜色看看，让对方知道什么是研发技术大神。但没有必要再客气了，就命令道“你不要打断我话！如我得没有错的话，os工艺流程大概是这样的

先是准备n型硅片，用以制造晶体管。（注os工艺是在工艺基础上发展起来的）

再使用湿氧化方法，在硅片上生长设定厚度（如约06微米）的二氧化硅层，作为制造p型区的掩蔽层。随后光刻p型区。

接着，光刻出nos晶体管的p阱区和pos晶体管的源、漏区后，使用氮化硼片作掺杂源进行硼预淀积。

在淀积硼以后，进行杂质推进扩散，形成nos晶体管的p阱，在推进扩散的同时，也进行干氧化，接着进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层作为光刻n型区的掩蔽层。

如光刻出n型掺杂区，然后进行磷掺杂扩散，形成nos晶体管的源、漏区；

在磷扩散以后，进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层用以制造栅氧化区的的掩蔽层；

光刻出晶体管的栅区，然后使用干氧化方法，生成设定厚度的栅二氧化硅层（如500纳米制程），”

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