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60年的高考,是没有查分这一说的,反正就是考完,等着结果就行,录取通知书大概是在8月开始发。</p>

而且以娄晓娥的情况,这年头的第一批是铁定录取不了的,所以时间还要更往后一点,这一批的特点是“可以录取机密专业”。</p>

所以娄晓娥和高振东两人并不急,该干嘛还是干嘛,高振东上班,娄晓娥操持家务。</p>

——</p>

办公室里,高振东正在思考着1274厂的事情。</p>

由于技术发展的原因,这个时候MOS(金属-氧化物-半导体)技术并没有完全成形。</p>

1274厂的集成电路工艺,还是走的58年提出的PN结隔离的双极型半导体的路子,这也是1274厂自身能力的极限,甚至都已经有点超出了极限了。</p>

这就让高振东陷入了纠结,是继续让1274厂走双极型半导体,还是干脆直接上MOS技术?</p>

两者之间并不是完全的替代关系,甚至双极型半导体比起MOS半导体来,有不少地方是有明显优势的。</p>

比如三级管开关速度更快,可以达到的频率更高,设计阶段成本更低,内部元件精度更高等等。</p>

对于高振东来说,他要的是可以在计算机技术方向上能发挥更大作用、具有更大潜力的半导体技术。</p>

所以即使集成电路在这个阶段有超小型组装、膜集成电路等其他路线,高振东也没有考虑这些路线,这些路线有其特殊用途,并不是没有前途,可是在计算机这个方向上,它们在可以预见的时间段内,没有任何前途。</p>

唯一的问题就是在现阶段,用双极型?还是大跨一步,直接考虑MOS?</p>

双极型在集成逻辑门电路方面,在现阶段有其优势。</p>

思来想去,高振东还是决定大跨一步,走MOS。</p>

双极型的速度是更快,但是这个时候再快也快不到哪里去,其他技术支撑不上也没用,对于计算机来说,早期MOS能达到的数十MHz的速度已经完全足够了。</p>

80年代的80286也不过20MHz,在60年代,双极型更快的开关速度对于高振东的需求来说,并没有什么意义。</p>

双极型内部元件精度虽然高一些,但是作为数字电路来说,只要能满足在规定的条件下完成预想的状态转移即可,元件精度高并没有什么用处,这不是模拟电路,要求大不相同。</p>

再说了,双极型的元件精度高,也只是相对MOS来说的,真实差距甚至连五十步笑百步都算不上。</p>

要说在集成电路设计阶段成本低,在这個阶段就是个伪命题,人力成本在这时候不怎么算的。</p>

MOS还有一个毛病是某个芯片一旦定型后,修改困难,修改成本很高。</p>

但对于高振东要做的事情来说,这个根本就不是问题。</p>

作为大规模使用的芯片,不论是逻辑门集成电路还是CPU、DRAM,都是定型了就不会随便修改,会大量量产的东西,所以这一点在这方面根本就不是问题。</p>

最重要的一点是,高振东清楚的知道,打从CPU和半导体存储器一开始,就没有双极型什么事儿,双极型做集成逻辑门电路是不错,但是用来做CPU和半导体存储器,根本用不上。</p>

或者说,在这方面,从技术和经济角度出发,人们都从来没有青睐过双极型半导体。</p>

Intel 4004,10μm的PMOS。</p>

8008,10μm的PMOS。</p>

首个4Kbit的DRAM,8μm的NMOS。</p>

首个16Kbit的DRAM,5μm的NMOS。</p>

大名鼎鼎的8086/8088,3μm的NMOS。</p>

彻底巩固了Intel数十年基业的80286,1.5μm的CMOS。</p>

至于为什么大家都不约而同的在这个应用方向上选择了MOS技术,那就不得不说MOS的优点了。</p>

这玩意工艺简单!比双极型简单得多,不是一星半点那种!</p>

抛开复杂的技术原理等等不说,简单总结,以PMOS和双扩散外延双极型为例,要达到差不多同样的效果,两者工艺差别非常巨大。</p>

PMOS外延次数1次,工艺步数最多45步,高温工艺2步,光刻最多5次。</p>

而双扩散外延双极型的这些数字,分别是4次以上、130步、10步、8次。</p>

工序更少、工艺更简单、良品率更高</p>

对于量产来说,这些特么可都是钱呐!</p>

而且对于现在的高振东来说,工艺步数越少,就意味着成功率越高。</p>

两者用到的基础技术实际上是差不多的,最大的区别是在晶体管的工作原理上,所以在这个阶段的技术难度上,有了高振东当知识的搬运工,更晚、更先进的MOS甚至要比双极型要低。</p>

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